内存价格降至冰点 但美光正在为DDR5扩大产能

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6月200日消息 在本周早些日后与投资者和金融分析师召开的收益电话会议上,美光对其长期未来及对其产品的强劲需求表示了信心,该公司还概述了扩大产能的计划,并太快转向更先进的工艺技术。

美光表示,“大伙 相信,受人工智能、自动驾驶汽车、5G和物联网等广泛的长期趋势驱动,记忆和存储的长期需求前景引人注目”美光公司首席执行官桑杰·梅赫特拉(Sanjay Mehrotra)说。“美光公司已准备好利用什么趋势,创新产品,快速响应的供应链,与全球客户建立良好关系。”

日后供应超过需求,近有几块季度DRAM价格大幅下跌。为了降低成本并为内存的新应用的再次出显做好准备,DRAM制造商正在积极地转向更新的工艺技术。与此一块儿,觉得承认大伙 还要平衡DRAM的供需,但大伙 实际上日后制定了积极的产能扩张计划,日后大伙 还要更多的洁净厂房室用于即将到来的制造技术。

美光公司在制造工艺方面拥有积极的路线图,现在又增加了另一有一一四个 10纳米级节点(总共6个10纳米级技术),该公司正在研究最终向极紫外光刻(EUVL)的过渡。美光还在扩大其生产能力,以便为下一代应用生产下一代存储器,即为消费级准备32 GB内存模块,为服务器准备64 GB DIMM。

本月早些日后,大伙 报道了美光的16 Gb DDR4内存芯片,该芯片采用该公司的第二代10纳米级制造工艺也称为1Y nm)生产。什么DRAM芯片日后在用于威刚和英睿达的32 GB DDR4内存条中,什么产品也将不久后上市。

▲美光旗下英睿达的32GB单条内存

早在4月份,为了应对DRAM和新工艺技术需求的增加,美光存储台湾(前雷克斯光电半导体)新洁净厂房室破土动工。

美光储存(台湾)早已在使用美光的第一代10纳米级制造技术(也称为1X nm)制造DRAM产品,并将在不久的将来直接进入第3代10纳米级工艺(叫华1Z nm) 。与此一块儿,去年美光在台中附进开辟了另一有一一四个 新的测试和包装设施,创造了世界上唯一的垂直集成DRAM生产设施之一。

此外,美光公司发表声明计划在日本广岛附进的公厂内投入20亿美元用于新的洁净厂房室。据报道,新的产能将用于制造美光13纳米工艺技术的DRAM。

总的来说,美光将拥有多个10纳米级节点。除了目前使用的第一代和第二代10纳米级工艺技术外,美光还计划推出共要五种10纳米级制造工艺:1Z,1α,1β和1γ

目前,美光公司正在生产第二代10纳米级制造工艺(即1Y nm),包括该公司的12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存储器件。

该公司的下一代1Z nm目前已获得客户的认可(即,大伙 正在测试使用该工艺生产的各种芯片),预计将在近期发表声明,该技术将用于生产16 Gb LPDDR5存储器件以及DDR5存储器件。

继1Z nm节点日后,美光计划开始英语 使用其1αnm制造技术以获得更高的产量,这原困它正占据 后期开发阶段。日后是1βnm制造工艺,该工艺也是占据 早期开发阶段。

美光没办法 说明在1γnm工艺日后算不算会直接进入EUV。该公司正在评估ASML的Twinscan NXE步进扫描功能以及使用极紫外光刻技术生产所需的许多设备,并正在评估什么工具什么日后可用于制造DRAM。